• EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势
• MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。其次，MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等，不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-02-05 17:09:00

• 读取优先和SRAM-MRAM混合结构
• MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。读取优先和SRAM-MRAM混合结构直接用MRAM代替SRAM可能导致性能下降。因此提出了用两种策略来缓解这个矛盾:一是引入读取优先的写入缓冲器;二是引入SRAM-MRAM混合结构。二者可以结合起来以改善MRAM高速缓存的性能。读取优先的写入缓冲器因为L2高速缓存从上一级存储器和写入缓冲器获取命令，必须有一个优先权策...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,MRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-10 14:24:00

• MRAM高速缓存的组成
• 磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。高速缓存可以用与SRAM几乎相同的方式来组建。MRAM与SRAM具有相似的电路结构(见图1)。它们都由字线来选择目标操作单元,由位线来传输数据。SRAM两种不同的位线连接到每一个单元,而MRAM只有一条位线,可以简单的把位线与源线的结合看做替代。因为基于sram芯片的读出放大器不能直接用于MRAM存储器,故MRAM需要一个参考信号，通...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-06 14:32:00

• Everspin扩展MRAM产品系列
• 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器(NVRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速缓冲器﹑配置内存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商业应用。Everspin半导体在磁存储器设计和制造及交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。包括40nm和28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM芯片生产。E...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,MRAM,非易失性存储器,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-22 16:11:00

• EverspinMRAM内存技术如何工作
• EverspinTechnologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。那EverspinMRAM内存技术是如何工作的？Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。EverspinMRAM与标准CMOS处理集成EverspinMRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结（MTJ）器件用于...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,MRAM内存技术 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-31 14:25:00

• EverspinMRAM优化系统能耗
• Everspin在磁存储器设计制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章介绍EverspinMRAM优化系统能耗。与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电流远高于读或待...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-17 13:57:00

• MRAM独特功能替换现有内存
• 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本，制造需要进入CMOS晶圆厂，并成为常规设备制造的一部分。除了将MRAM进一步整合到制造链...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,Everspin MRAM,SRAM,内存,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-30 15:40:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00

• EverspinMRAM小尺寸MR4A16B存储器
• Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O产品，以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER,softerrorrate)。这款16MbMRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： Everspin MRAM,MRAM,MR4A16B存储器,MR4A16B 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-23 15:59:00

• EverspinMRAM存储器MR25H10CDC
• Everspin除了是业内首个批量MRAM供应商之外，还拥有并运营位于亚利桑那州钱德勒的集成磁制造线。Everspin当前的产品基于180纳米和130纳米工艺技术节点。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。Everspin正在向全球领先的客户运送大量MRAM产品。我们拥有成熟的全球供应链，并致力于最高质量和寿命。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。MR25H10CDC对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10CDC是理想的存储器。·提供AEC-Q1001级合格选项。·40MHz的读写速度，具有无...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： Everspin MRAM MRAM存储器 MR25H10CDC Everspin代理商 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-03-25 16:57:00